Farbenfrohe Vergeltung hoch fünf – Corsair Vengeance RGB DDR5-6000 CL36 2x 16 GB Kit Test mit Teardown und Overclocking

1 - Unboxing und Design 2 - Dimensionen und RGB-Beleuchtung 3 - Heatsink-Test und SPD-Informationen 4 - Teardown und PCB-Analyse 5 - Overclocking und Testsysteme 6 - Synthetics (1/2) – Linpack Xtreme, AIDA64, Geekbench 3 7 - Synthetics (2/2) – SuperPI 32M, Pyprime 2.0 2B, Timespy CPU 8 - Gaming QHD und FHD – ACC, SoTR, CS:GO 9 - Zusammenfassung und Fazit

Overclocking

Neben dem XMP Profil testen wir RAM Kits in unseren Reviews natürlich auch immer noch manuell und stabil übertaktet. Wie bereits im SPD ausgelesen, ist der PMIC auf 1,435 V limitiert, was auch das Maximus Z690 Apex Mainboard nicht umgehen kann. Interessanterweise handelt es sich beim PMIC ja um den selben Chip, der auf den ADATA XPG Lancer Modulen dann doch mehr Spannung liefern konnte, aber das scheint dann an on-board Einstellungen des PMICs zu liegen.

Tatsächlich takten die Module mit ihren 16 Gbit B-Die ICs und begrenzter Spannung sehr hoch, mit bis zu DDR5-7000 im Gear 2. Über 6666 Mbps wird das Memory Training allerdings zum Glückspiel, insofern die Einstellungen manchmal stabil ist, manchmal nach einigen Stunden wenige Fehler wirft und manchmal nur wenige Sekunden im TM5 überlebt. Je höher die Temperatur der Speichermodule, desto konstanter wird das Training, aber bei jedem Systemstart erstmal den RAM mit einem Föhn vorzuwärmen ist ja nicht wirklich praktikabel.

Letztendlich beläuft sich die maximale Übertaktung auf DDR5-6666 mit tCL 36, tRCD 37, tRP 38, tRAS 76 und tCR 2, mit gänzlich passiver Kühlung. Dabei erreichen die Module nach einigen Stunden im Stresstest zwar schon 95 °C, sind aber dennoch völlig stabil und die verbauten Komponenten sind laut JEDEC auch für diese Temperaturen ausgelegt. Kühlt man die Module aktiv, lassen sich die Temperaturen zwar deutlich unter 50 °C senken, aber dann wird die Einstellung tatsächlich instabil. Die Samsung 16 Gbit B-Die ICs brauchen also anscheinend eine ziemlich hohe Betriebstemperatur um fehlerfrei am Performance-Limit laufen.

Auch wenn andere RAM Module mit Hynix 16 Gbit A-Die ICs noch schneller sind bzw. sich höher takten lassen, können die Samsung 16 Gbit B-Die Speicherchips immerhin bei den wichtigen tRCD, tRP, tRRD_s/t und tFAW Timings straffer eingestellt werden und somit einen Teil des Performance-Defizites wieder gut machen. Die restlichen Subtimings und besonders die Refresh-Einstellungen tREFI und tRFC sorgen aber eben dann doch für einen deutlichen und messbaren Nachteil, wie wir gleich bei den Benchmarks sehen werden.

Testsysteme

Als Mainboard kommt ein vorselektiertes Asus Maximus Z690 Apex zum Einsatz und als CPU dient ein i9-12900K mit dem besten aus über 60 gebinnten i9 CPUs. Die restliche Testhardware gibt’s wie immer als Übersicht:

Zur besseren Übersichtlichkeit werden in den Diagrammen folgende Abkürzungen verwendet:

• 12900K: Intel Core i9-12900K CPU
• 51/0/49: Multiplikatoren für P-Cores x51, E-Cores 0 (deaktiviert), Cache x49 bei BCLK 100 MHz
• TZ5: Trident Z5 Module von G.Skill
• XPGL: XPG LANCER RGB DDR5 Module von ADATA
• DPR: Dominator Platinum RGB DDR5 Module von Corsair
• FB: Fury Beast DDR5 Module von Kingston  
• DR: Dual-Rank, falls nicht angegeben Single-Rank
• 3600c14: Konfiguration mit 3600 Mbps und tCL Timing 14, siehe Screenshots für alle Timings
• 1T, 2T: Befehlsrate 1T oder 2T
• *: vollständig manuell eingestellte Subtimings, siehe Screenshots
• G1, G2: Gear 1, Gear2 – Übersetzung zwischen IMC-Takt und RAM-Takt, Gear 1 = 1:1, Gear 2 = 1:2
• H16M: SK Hynix 16 Gbit M-Die Speicherchips
• S16B: Samsung 16 Gbit B-Die Speicherchips
• ❄: aktive Kühlung mit einem 120 mm 2000 rpm Lüfter

Timings der DDR4 Vergleichs-Config: