Teardown: PCB-Layout und Komponenten
Beginnen wir zunächst mit der Platine, die natürlich auch bei PNY nahezu 1:1 der Platine der Non-Super entsprich. NVVDD ist immer noch die wichtigste Spannung und so ergibt sich ein Spannungswandler-Design mit insgesamt 8 echten Phasen und den daraus resultierenden 9 Regelkreisen allein für NVVDD, weil eine der Phasen eine parallele Ansteuerung von zwei Reglern realisieren. Da hat sich im Vergleich zur RTX 4070 Non-Ti nichts geändert, denn es ist am Ende ja auch die gleiche Platine. Aber es soll ja auch um den Preis gehen und so ändert sich auch nichts weiter. Fragmentierung kostet stets extra und das passt schlecht ins Konzept, hier kann man einfach den Chip tauschen und weiterproduzieren, als hätte es den Super-Umstieg gar nicht gegeben.
Es sieht auch nicht so mager aus wie bei der RTX 4070 Super, aber die Karte ist ja auch durstiger und schneller. Man nutzt erneut getrennte PWM-Controller für NVVDD (GPU Core) und FBVDDQ (Speicher), denn die Top-Modelle unter den PWM-Controllern sind leider viel zu teuer. Und deshalb muss es wieder der gute und altbekannte uP9512R von UPI Semi richten, der aber völlig ausreicht. Mit einem zweiten PWM-Controller in Form des kleinen uP9529 steuert man dann die zwei Phasen für den Speicher an. Beide Controller befindet sich übrigens auf der Rückseite der Platine. Direkt dazwischen liegt noch ein uPI uS5650Q für die Überwachung der 12V-Rails (1x Aux und 1x PEG). Da unterscheiden sich die Super und Non-Super also überhaupt nicht.
Alle verwendeten DrMOS, auch die für den Speicher, sind eher günstige Produkte von OnSemi. Der in allen Regelkreisen für NVVDD und FBVDDQ (Speicher) genutzte NPC302150 mit 50A Spitzenstrom integriert einen MOSFET-Treiber, einen High-Side-MOSFET und Low-Side-MOSFET in einem einzigen Gehäuse. Dieser Chip wurde speziell für Hochstromanwendungen wie z.B. DC-DC-Buck-Leistungswandlungsanwendungen konzipiert. Diese integrierte Lösung reduziert den Platzbedarf auf der Leiterplatte im Vergleich zu einer Lösung mit diskreten Komponenten. Die verwendeten Spulen für NVVDD und den Speicher besitzen eine Induktivität von 220 nH, die Kondensatoren sind in Becherform, was günstiger ist.
Die 12V-Rails am 12+4 12VHPWR-Connector werden direkt nach der Buchse zu einer einzigen Rail zusammengefasst, eine weitere liegt am PEG an, und wird für NVVDD nur gering genutzt. Das BIOS liegt am gewohnten Ort und auch die Generierung der restlichen Kleinspannungen ist wie gehabt. Mehr Besonderheiten gibt es also nicht.
- 1 - Einführung, technische Daten und Technologie
- 2 - Test System und Messequipment
- 3 - Teardown: Kühler und Abdeckung
- 4 - Teardown: PCB, Komponenten und Kühler
- 5 - Teardown: Detaillierte Materialanalyse
- 6 - Gaming Performance FHD (1920 x 1080)
- 7 - Gaming-Performance WQHD (2560 x 1440)
- 8 - Gaming Performance Ultra-HD (3840 x 2160)
- 9 - Gaming Performance DLSS / FSR
- 10 - Details: Leistungsaufnahme und Lastverteilung
- 11 - Lastspitzen, Kappung und Netzteilempfehlung
- 12 - Temperaturen, Taktraten und Infrarot-Analyse samt Pad-Mod
- 13 - Lüfterkurven und Lautstärke
- 14 - Zusammenfassung und Fazit
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