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Chinesischer Halbleiterhersteller SMIC startet 7nm-Prozess in Q4 und erwartet 20% Leistungsverbesserung

Der 7-nm-Prozess der Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC), Chinas fortschrittlichste und größte Fertigungsstätte, wird laut kkj.cn im vierten Quartal mit einer Kleinserienproduktion gestartet. Im Vergleich zu 14 nm verbessert der N+1-Prozess von SMIC die Leistung um 20 %, reduziert den Stromverbrauch um 57 %, verringert die logische Fläche um 63 % und reduziert die SoC-Fläche um 55 %, so Dr. Liang Mengsong, Co-CEO von SMIC, in dem Bericht.

TSMC und Samsung werden in diesem Jahr bereits 5nm-Prozesse in für Massenproduktion nutzen, jedoch holt China bei den fortschrittlichen Verfahren ganz offensichtlich immer weiter auf. Der größte Wafer-Hersteller, SMIC, überführte erst Ende letzten Jahres einen 14-nm-Prozess in die Serie, der 1 % des Umsatzes und einen Umsatz von 7,69 Millionen Dollar brachte. Aber diese Prozesstechnologie kann zumindest bereits 95 % der Inlandsnachfrage decken. Die 14-nm- und verbesserten 12-nm-Prozesse sind die FinFET-Prozesse der ersten Generation von SMIC. Man entwickelte auch fortschrittlichere N+1- einschließlich N+2-FinFET-Prozesse, die in etwas den energiesparenden und leistungsstarken Versionen des 7-nm-Prozesses entsprechen.

Nach N+1 wird es auch N+2 geben. Diese beiden Prozesse sind in Bezug auf den Stromverbrauch ähnlich leistungsfähig. Der Unterschied liegt in der Leistung und den Kosten. Denn N+2 ist offensichtlich auf hohe Leistung ausgerichtet und die Kosten werden somit steigen. Was das EUV-Lithographiegerät betrifft, das recht viel Aufmerksamkeit erregt hat, so sagte Liang Mengsong, dass unter den derzeitigen Bedingungen die Prozesse der N+1- und N+2-Generation nicht das EUV-Verfahren verwenden werden und wenn diese Ausrüstung erst einmal fertig ist, kann auch der N+2-Prozess mehrere Fotomasken nutzen. Mit EUV wird erst anschließend der nächstfolgende Prozess auf die EUV-Lithografie in großem Maßstab umgestellt.

Die wichtigste Frage ist jetzt, wann SMIC die Massenproduktion in 7 nm starten kann. Die neuesten Meldungen besagen, dass der N+1-FinFET-Prozess von SMIC für die Kunden eingeführt wurde (es wurde jedoch keine Kundenliste angekündigt). Die Kleinserienproduktion wird dann im vierten Quartal dieses Jahres beginnen, also früher als bisher berichtet. Um die Prozesskapazität zu beschleunigen, werden die Investitionsausgaben von SMIC in diesem Jahr 3,1 Milliarden US-Dollar erreichen (der Jahresumsatz des Unternehmens beträgt nur etwa 3 Milliarden US-Dollar), wovon 2 Milliarden US-Dollar für die 12-Zoll-Wafer-Fabrik von SMIC in Shanghai und 500 Millionen US-Dollar in einer 12-Zoll-Wafer-Fabrik in Peking verwendet werden.

Es bleibt also spannend!

Quelle: kkj.com via cntechpost

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Igor Wallossek

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