Jakob Ginzburg
Urgestein
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SK hynix hat heute die erfolgreich abgeschlossene Entwicklung von 1 Znm 16 GB DDR4-Arbeitssepicher bekanntgegeben. Da 16 Gb die branchenweit höchste Dichte für einen einzelnen Chip ist, stellt die Gesamtspeicherkapazität pro Wafer auch einen Meilenstein für das Unternehmen dar.
Die Produktivität gegenüber der vorherigen Generation, 1Y nm, konnte um etwa 27% verbessert werden. Zur Herstellung ist keine teure Extrem Ultraviolette (EUV)-Lithographie erforderlich, was SK hynix einen Wettbewerbsvorteil in Bezug auf die Kosten verschaffen dürfte. Der neue 1Z nm DRAM unterstützt eine Datenübertragungsrate von bis zu 3.200 Mbit/s.
Zum Beitrag: https://www.igorslab.de/sk-hynix-entwickelt-1-znm-16gb-ddr4-dram-mit-16gb/
Die Produktivität gegenüber der vorherigen Generation, 1Y nm, konnte um etwa 27% verbessert werden. Zur Herstellung ist keine teure Extrem Ultraviolette (EUV)-Lithographie erforderlich, was SK hynix einen Wettbewerbsvorteil in Bezug auf die Kosten verschaffen dürfte. Der neue 1Z nm DRAM unterstützt eine Datenübertragungsrate von bis zu 3.200 Mbit/s.
Zum Beitrag: https://www.igorslab.de/sk-hynix-entwickelt-1-znm-16gb-ddr4-dram-mit-16gb/