Gelungener erster Wurf? – Acer Predator Talos DDR4-3600 CL18 2x 8 GB Arbeitsspeicher-Kit | Test mit Benchmarks und Teardown

1 - Überblick Talos SKUs und Specs 2 - Verpackung, Aussehen und Specs 3 - Teardown und Heatsink-Performance 4 - Testsysteme und Overclocking 5 - AIDA64 Memory und Geekbench 3 6 - Gaming-Performance in Cyberpunk 2077 7 - Abschließende Gedanken und Fazit

Bevor wir zum Übertakten der Module kommen, muss ich zunächst noch ein paar Worte zu meinen Testsystemen verlieren. Da vor kurzem Intel Rocket Lake veröffentlicht wurde und die Plattform einen bemerkenswerten Zugewinn bei der Arbeitsspeicher-Performance gemacht hat, habe ich den bisher für Tests verwendeten 10900KF durch einen 11700K ersetzt. Dies bedeutet natürlich, dass die Performance- und OC-Ergebnisse zwischen Tests mit diesen unterschiedlichen CPUs nicht direkt verglichen werden sollten. Während der 10900KF noch mit weit über 5 GHz stabil betrieben werden konnte, erreicht der 11700K an dieser Schallmauer schon seine Grenzen. Entsprechend geringer fallen dann auch die Ergebnisse in Benchmarks aus, welche primäre mit dem CPU-Takt skalieren. 

Der 11700K wird also mit dem Standard Boost und aufgehobenen Leistungslimits betrieben. Lediglich der Cache wurde manuell auf 4.4 GHz angehoben, um den Flaschenhals Richtung Speichercontroller so gut es geht zu minimieren. Als Kontrollmuster (Control Kit) fungiert wie bereits bei vergangenen Tests ein Single-Ranked Samsung B-Die Kit von G.Skill, um das heutige Testkit relativ dazu im Markt einordnen zu können. Das AMD-Testsystem verwendet einen 5950X mit maximalem PBO auf einem Gigabyte B550 Aorus Pro v2, das sich aufgrund seiner optimierten DIMM-Slot-Topologie optimal für RAM-Overclocking eignet. Folgend gibt es die Infos zu den Testsystemen noch einmal gesammelt:

Getestet werden die Module auf beiden Plattformen mit jeweils 3 Einstellungen: 1. XMP, 2. mit einer einfachen Übertaktung, wo lediglich die Taktrate angehoben wird, und 3. einer Einstellung mit maximaler Performance und Spannung mit komplett manuell gesetzten Sekundär- und Tertiär-Timings. Während hierfür auf der Intel Plattform die Taktrate mit entsprechend gelockerten Timings auch im Gear 2 weiter angehoben werden kann, leidet die Performance auf der AMD-Plattform zu sehr unter dem 1:2 Übersetzungsverhältnis. Daher werden hier statt höherer Taktrate straffere Timings für die maximale Performance verwendet. Auf Stabilität getestet wurden die Übertakungen wie beim Heatsink-Stresstest auch mit Testmem5 v0.12 und dem Profil „Extreme1@Anta777“. 

Das Übertakten der Talos Module aus dem heutigen Test gestaltet sich relativ angenehm, da eine Einstellung entweder nach 2 Minuten im Stresstest entweder im BSOD endete oder komplett stabil war. Dass sich einzelne Fehler nach mehreren Minuten oder Stunden einschleichen, geschieht nur wenn man die RAM-Spannung auf über 1,45 V anhebt. So lassen ich z.B. mit 1,5 V auch mit extrem lockeren Primärtimings keine Einstellung stabilisieren. Die ICs dieses Speicherkits mögen anscheinend Spannungen über 1,45 V so gar nicht. Aber sei es drum, denn auch mit dieser Limitierung lassen sich beachtliche Benchmark-Ergebnisse für ein RAM-Kit in dieser Klasse erzielen, aber dazu mehr auf der nächsten Seite.

Auf der Intel Plattform ist die maximale stabile Taktrate bei DDR4-4400 mit Primärtimings 19-23-23-46, natürlich im Gear 2 und damit einer effektiven Speichercontroller Taktrate von 1100 MHz. Bei diesen Speicher-ICs skalierte tRCD nicht mit der RAM Spannung, wie etwa bei Samsung 8 Gbit B-Die und generell haben wir ja wie gesagt relativ wenig Freiraum bei der Spannung. Dafür kann aber tCL relativ zur Taktrate ordentlich angezogen werden, sodass sich bei der Zugriffslatenz ein kleiner Zugewinn ergibt. Während tRFC nur auf 666 und damit nicht viel niedriger als auto gesetzt werden kann, lassen sich dafür die restlichen Sekundär-Timings relativ stark verschärfen. 

Bei den Tärtiär-Timings können tRDRD_sg und tWRWR_sg nicht vom Auto-Wert 7 herabgesetzt werden. Mit den tRDWR-Timings von 9 lässt sich aber ein ordentlicher Zuwachs in der Bandbreite erzielen und mit den tWRRD-Timings 28 und 24 auch noch ein wenig Latenz einsparen. Neben der RAM-Spannung werden für diese Einstellung 1,3 V System Agent und 1,45 V VCCIO Mem Spannungen eingesetzt.

Auf der AMD Plattform sind wir wie gesagt durch den maximalen Infinity Fabric-Takt der CPU limitiert, nämlich 1900 MHz und damit an eine effektive RAM-Taktrate von DDR4-3800 im 1:1 Modus. Durch das Erhöhen der RAM-Spannung auf 1,45 V können hier aber statt einem höheren Takt die Timings herabgesetzt und so vor allem Latenz gewonnen werden. Die einzigen wirklich Performance-kritischen Timings, die nicht von ihrem Auto Wert abgeändert werden können, sind tRDRDSCL und tWRWRSCL mit 5.  Man erkennt eine Parallele zu den tRDRD_sg und tWRWR_sg Setting auf der Intel Plattform. Hier müssen neben der Spannung für den RAM keine anderen angepasst werden, da die Speicher-ICs keine große Belastung für den Speichercontroller darstellen.  

Was sind das nun für „pseudo Micron ICs“ mit 8 Gbit Kapazität, die nicht mehr als 1,45 V Spannung mögen, aber sich dennoch relativ hoch takten lassen? Da Micron im DDR4 Consumer-Bereich aktuell nur 8 Gbit Rev E und 16 Gbit Rev B fertigt, ist die Auswahl hier schonmal relativ gering. Auch das Taktverhalten würde zu RevE passen, wie man auch in meinem aller ersten Test auf igorslab zum Crucial Ballistix 3200 CL16 Kit erkennen kann. Jetzt stellt sich nur noch die Frage, wieso diese Micron ICs keine Micron Lasergravur tragen? Auch dies lässt sich relativ einfach erklären, wenn man sich erinnert dass BIWIN auch Chip Packaging beherrscht und Micron Wafer zu „eigenen“ Speicher-Chips weiterverarbeiten kann. Bei den verwendeten ICs dieses Kits wird es sich also höchstwahrscheinlich um Micron RevE im BIWIN Package handeln.