Sapphire RX 5500 XT Pulse 8 GB im Test – Günstig kann auch leise sein

1 - Einführung und Vorstellung 2 - Tear Down: Platine, Bestückung und Kühler 3 - Gaming Performance 4 - Leistungsaufnahme 5 - Taktrate, Übertaktung und Temperaturen 6 - Lüfter und Geräuschentwicklung 7 - Zusammenfassung und Fazit

Platinen-Design

Sapphire setzt sogar bei dieser eher günstigen Karte trotz der niedrigen TDP auf ein recht aufwändiges 6+1 Phasen-Design, bei dem die 6 GPU-Phasen (VDDC) jeweils einen Regelkreis ansteuern. Diese Aufgabe erledigt der IR 35271 von International Rectifier, der über spezielle Gate-Treiber die diskret aufgebauten Spannungswandler ansteuert. Jeder der VDDC-Regelkreise verfügt über jeweils einen 4C029 von ON Semi als High-Side-MOSFET und einen 4C03N auf der Low Side. Geglättet wird dies dann im Anschluss mit einer 220-nH-Spule. Darüber hinaus sitzt darunter noch ein ähnlicher Regelkreis für den SoC mit identischer Halbleiterbestückung.

Den Speicher (MVDD) versorgt man mit nur einer kräftigeren Phase, die von einem ON Semi NCP 81022N erzeugt wird. Als Spannungswandler dienen dann erneut jeweils ein ON Semi 4C029 auf der High- und ein einzelner 4C03N auf der Low-Side. Die insgesamt vier 2-GB-Speichermodule von Samsung mit 14 Gbps sind dann an diese einzelne Phase angebunden und unterm Strich sogar effizienter als acht einzelne 1-GB-Module. Der 8-Pin-Anschluss ist einfach abgesichert, eine Glättungsspule findet sich dann etwas weiter entfernt in der Zuleitung zu den Spannungswandlern. Die Aufteilung der GPU-Spannungswandler in diskrete Bauelemente statt DrMOS dürfte hier eher aus Kostengründen erfolgt sein. Allerdings leidet dadurch auch ein wenig die Effizienz der Wandlerkreise, aber geschenkt.

Auf der Rückseite finden sich wenige aktive Bauelemente, wozu die Spannungswandler für diverse Teilspannungen zählen, von denen der in Sockelnähe auch aktiv über die Backplate mitgekühlt wird.

Hier noch einmal die Zusammenfassung der wichtigsten Komponenten:

IR 35271 VDDC PWM-Controller	ON Semi 4C029 High-Side,  4C03N Low-Side, Gate Driver, VDDC	VDDC Coil, 220 nH
ON Semi NCP 81022N, MVDD PWM Controller	ON Semi 4C029 High-Side,  4C03N Low-Side, Coil 820 nH, MVDD	ON Semi 4C029 High-Side,  4C03N Low-Side, Gate Driver, SoC
DIP Schalter, BIOS Switch	EEPROMs, Dual BIOS	Samsung Memory, 2 GB, 14 Gbps

Kühler-Design

Die Karte besitzt eine den Kühler tragende Basisplatte, in die oberhalb der GPU ein Kupfer-Heatsink eingelassen wurde, an dessen Rückseite die drei 6-mm-Heatpipes aus vernickeltem Kupferkompositmaterial angeflanscht wurden. Diese Basisplatte kühlt zudem die vier Speichermodule und die beiden MOSFETs der MVDD-Spannungswandler.

Die Spannungswandler werden über einen separaten, im Kühler verankerten Heatsink gekühlt. Vorbildlich. Die Kühlfinnen sind horizontal angeordnet, was die Abluft am Ende auch zu den beiden Kühlerende hin ausrichtet.

Die Backplate kühlt aktiv die Bereiche der Platine unterhalb der Speicher und der Spannungswandler. Insgesamt betrachtet ist hier eine ausgewachsene Kühlung auf eine doch recht sparsame Karte verbaut worden. Das lässt schon einmal auf einen sehr leisen Betrieb hoffen.