Gefangen im froschgrünen Sandwich: MSI Radeon RX 5500 XT Gaming X im Test - der Preis wird über den Erfolg entscheiden | Seite 3

Platinen-Design: MSI RX 5500 XT Gaming 8GB

MSI setzt sogar bei dieser vermeintlich sparsamen Karte auf ein recht aufwändiges 6+1 Phasen-Design, bei dem die 6 GPU-Phasen (VDDC) jeweils einen Regelkreis ansteuern. Diese Aufgabe erledigt der IR 35271 von International Rectifier, der über spezielle Gate-Treiber die diskret aufgebauten Spannungswandler ansteuert. Jeder der VDDC-Regelkreise verfügt über einen 4C029 von ON Semi als High-Side-MOSFET und jeweils ein Paar 4C022 auf der Low Side. Geglättet wird dies dann im Anschluss mit einer auf MSI gelabelten 330-nH-Spule.

Den Speicher (MVDD) versorgt man mit nur einer kräftigeren Phase, die von einem ON Semi NCP 81022N erzeugt wird. Als Spannungswandler dienen dann jeweils ein ON Semi 4C029 und ein einzelner 4C022 auf High- und Low-Side. Die insgesamt vier 2-GB-Speichermodule von Micron mit 14 Gbps sind dann an diese einzelne Phase angebunden und unterm Strich sogar effizienter als acht einzelne 1-GB-Module.

Der 8-Pin-Anschluss ist einfach abgesichert, eine Glättungsspule findet sich dann etwas weiter entfernt in der Zuleitung zu den Spannungswandlern oberhalb des Monitoring-Chips. Die Aufteilung der GPU-Spannungswandler in diskrete Baulelemente statt DrMOS düfte hier eher kühltechnische Gründe haben, weil man sie die sonst üblichen Hot Spots über den kleinen DrMOS vermeidet und alles großflächig entzerrt. Allerdings leidet dadurch auch ein wenig die Effizienz der Wandlerkreise.

Auf der Rückseite finden sich wenige aktive Bauelemente, wozu die Spannungswandler für diverse Teilspannungen zählen, die vor allem in Sockelnähe positioniert wurden.

Hier noch einmal die Zusammenfassung der wichtigsten Komponenten:


IR 35271 VDDC PWM-Controller	ON Semi 4C029, High-Side MOSFET, VDDC	ON Semi, 2x 4C022, Low-Side MOSFETS, VDDC

VDDC Coil, 330 nH	ON Semi NCP 81022N, MVDD PWM Controller	ON Semi 4C029 + 4C022, High-/Low Side, MVDD

MVDD Coil 270 nH	Micron Memory, 2 GB, 14 Gbps	ITE 8295FN Monitoring MCU

Platinen-Design: MSI GTX 1650 Super Gaming X 4GB

MSI setzt sogar bei dieser Karte auf ein sehr minimalistisches 3+1 Phasen-Design, bei dem die 3 GPU-Phasen (VDDC) jeweils einen Regelkreis ansteuern. Diese Aufgabe erledigt der uP9525P von UPI Semiconductor, der die drei Power Stages NCP302155 von ON Semi ansteuert. Jeder dieser Chips enthält die Treiber, die Schottky Diode und jeweils ein asymmetrisches MOSFET-Pärchen für die High- und Low-Side in einem Package. Geglättet wird wie üblich mit auf MSI gelabelten 330-nH-Spulen.

Beim Speicher setzt man ebenfalls auf nur eine Phase mit einem diskret aufgebauten Spannungswandler. Die Ansteuerung der einen Phase erledigt ein günstiger EL7212CSZ von Renesas Electronics, der dann den Spannungswandler, bestehend aus einem ON Semi 4C029 für die High- und einem 4C024 für die Low-Side besteht. Die Induktivität der Ferrit-Kern-Spule ist allerdings nicht bekannt. Versorgt werden insgesamt vier 1-GB-Module von Micron mit 14 Gbps.

Die Spannungsversorgung erfolgt aus der 16-Pin-Buchse und dem 12V-Mainboard-Slot (PEG). Die Rückseite ist fast komplett frei von aktiven Komponenten.

Auch hierfür noch einmal die tabellarische Aufstellung der wichtigsten Komponenten:


UPI Semi uP9529P, PWM Controller, VDDC	ON Semi NCP302155, DrMOS, Power Stage, VDDC	Shunt, Fuse, Coil, Power Supply

Renesas Electronics EL7212CSZ, MOSFET Driver, MVDD	ON Semi 4C029, High Side, MVDD	ON Semi 4C024, Low Side, MVDD

Micron Memory, 1 GB, 14 Gbps	Single BIOS	ON Semi NCP45491, 4-Channel Monitoring Chip