News Kioxia stellt fünfte BiCS-FLASH-Generation vor

Jakob Ginzburg

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Die neue Generation des 3D-NAND-Flash-Speichers bietet zusätzliche Layer, mehr Speicherkapazität, eine größere Bandbreite und neue Designflexibilität.

3d-nand-flash-speicher_01.png



Kioxia präsentiert mit der fünften Generation der BiCS-FLASH-Technologie eine neue 3D-NAND-Flash-Speicherlösung mit vertikal geschichteter 112-Layer-Struktur. Erste Muster mit einer Kapazität von 512 Gigabit (64 Gigabyte) und Triple-Level-Cell-Technologie werden für Spezialanwendungen voraussichtlich bereits im ersten Quartal 2020 zur Verfügung stehen.

Zum Beitrag: https://www.igorslab.de/kioxia-stellt-fuenfte-bics-flash-generation-vor/
 
Mag mir bitte mal jemand so laienhaft wie möglich erklären, wieso sich bei 112 Layer im Vergleich zu 96 die Speicherdichte um knapp 20 Prozent erhöht? Oder ob die knappen 20 eher die gerundeten 15 Prozent sind, die der Erhöhung entsprechen?
 
Im übersetzten Text von Jakob kommt das vielleicht nicht so klar rüber, dass pro Layer auch nochmal was verbessert wurde.

"Kioxia’s innovative 112-layer stacking process technology is combined with advanced circuit and manufacturing process technology to increase cell array density by approximately 20 percent "
 
Bedeutet das mehr Speicherplatz pro Layer?
 
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