DDR4 4xSingleRanked vs 2xDualRanked

[2Chevaux]

Ob der Diskussion eins weiter unten bezüglich der seit dem Gamers-Nexus-Video gern auch an anderen Stellen empfohlenen 4xSingleRanked-Bestückung für ZEN3 möchte ich an dieser Stelle mal eine Frage (Edith: Labertäschchen, ich zähle gleich vier Fragezeichen ) an die etwas erfahreneren Speicherspezis hier im Forum richten.

Nach meinem Verständnis geht es bezüglich der Performance ja dort letztlich darum, den Vorteil der erhöhten Bus-Bandbreite im DualRanked-Betrieb zu erreichen – daher rührt ja letztlich der (mögliche) Performance-Vorteil der 4xSingleRanked-Bestückung gegenüber einer 2xSingleRanked-Bestückung – auch wenn das Steve im GN-Video nicht so ausgeführt hat, dürfte ja dort der Hund begraben liegen?

Wo aber liegt der Vorteil von 4xSingleRanked gegenüber einer 2xDualRanked-Bestückung – bzw. wo soll er liegen?

Letztlich dürften im 4-Slot-Betrieb doch Dinge wie Routing-Topologie & Routingqualität des Mainboards eine wesentlich größere Rolle spielen als beim 2-Slot-Betrieb, und letztlich sollte es nach meinem Verständnis aus Sicht des IO-Die bzw. des IMC letztlich gerade im IF-Grenzbereich zielführender sein, nur mit zwei Riegeln auf den beiden (normalerweise) besten Slots zu kommunizieren?

Oder geht es letztlich vielleicht nur um B-Die-Einsatz im DualRanked-Betrieb, weil es die als DualRanked-Riegel möglicherweise nicht gibt?

Edith fügt ein Buildzoid-Video zum Grundthema hinzu und ein fünftes Fragezeichen – kennt vielleicht jemand einen analogen Vergleich mit dem ZEN3-IMC?
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Wär' vielleicht sogar etwas für Igor?

 

[Gelöschtes Mitglied 3206]

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[Gelöschtes Mitglied 3206]

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[2Chevaux]

[...]
Mit 2X Dualrank nah am IF Limit und guten Subtimings ist man bisher am besten gefahren. Dürfte beim Zen3 nicht anders sein, auch wenn nach oben verschoben.

Genau das ist es, was auch ich vermute.

Allerdings bin ich anderer Meinung, was das von dir vermutete Optimum 4X DualRank angeht: Nein, da sehe ich nur mögliche Verschlechterung. 2xDual gewinnt gegenüber 2xSingle Rank zwar Bandbreite hinzu, es gibt aber keinen weiteren Gewinn, sondern nur (potentielle) Verluste mit 4xDualRank.

Der Bus ist nämlich (so weit ich weiß) mit 2xSingle nicht am Anschlag, mit 2xDual aber schon – mit 4xDual passt da auch nicht mehr drüber, der Bus ist dann bereits "dicht", egal ob im Vergleich mit 4xSR oder 2xDR.

 

[Gelöschtes Mitglied 3206]

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[2Chevaux]

Bezüglich 4xDual Rank lag ich wahrscheinlich falsch, das scheint (bei sonst gleichen Settings) tatsächlich nochmal performanter als 2xDR, da war ich auf dem Holzweg. Nachdem ich hier und da nochmal nachgelesen habe:

Optimal scheint (auch) für ZEN3 das Aufspannen von jeweils einem Dual-Rank je Channel zu sein, also vier Dual Rank Sticks. Jedenfalls wenn mensch mal den IF außen vor lässt, nehme (auch) ich an. Ich vermute aber, daß in "Bastlerhänden" 2xDR mit angepassten Settings wahrscheinlich oft schneller sein werden, da an anderen Stellen (eben etwa insbesondere der IFclock) mit höheren Gewinnaussichten gedreht werden kann, als im 4-Stick-Setup.

 

[Moeppel]

Wo aber liegt der Vorteil von 4xSingleRanked gegenüber einer 2xDualRanked-Bestückung – bzw. wo soll er liegen?

"Vorteil" wäre hier wohl falsch, als einfach, dass 4x SR DIMMs als 2x DR DIMMs behandelt werden, rein vom Durchsatz.

Rein aus OC-Sicht sind 4xSR vermutlich auch einfacher zu takten und stramm zu ziehen als DRs, hier wäre dann wohl der 'Vorteil'.

Theoretisch würde ich erwarten, dass 4x DR noch mal eine Schippe draufsetzen würde, vorausgesetzt IF und Speichercontroller spielen mit.

Was mich verwunderte an der Thematik war bzw. ist warum 4x SR DIMMs so behandelt werden wie 2x DR DIMMs.

Wenn 4x SR = Dual Rank Treatment sind 4x DR dann = Quad Rank?

 

[Martin Gut]

4x DR dann = Quad Rank?

Ich würde sagen, so in dem Sinne. Aber die maximale Anzahl Ranks auf die gleichzeitig zugegriffen werden kann ist beschränkt. Darum bringt 4 x DR nicht mehr Leistung als 2 x DR oder 4 x SR.

Bitte korrigiert mich falls nötig. Das ist nicht mein Fachgebiet.

 

[Yoshi]

Das ist wirklich eine interessante Diskussion, in die ich mich gerne einklinken möchte. Meine Testvoraussetzungen sind nicht optimal, aber ich habe aktuell eine Samsung B-Die Kit 4x16 DR 3466@CL16 und ein Micron B-Die 4x16 SR 4000@CL18 hier liegen.

Mein 5950X scheint keinen besonders guten Memorycontroller bekommen zu haben oder das Gigabyte X570 Aorus Master ist der limitierende Faktor, oder mein (etwas älterer) Samsung B-Die ist nicht gut gebinnt, jedenfalls ist alles über 1800MHz IF-Takt nicht wirklich stabil zu bekommen.

Also habe ich mal 3600 MHz RAM-Takt mit 1800 MHz IF-Takt als Basis genommen und ein paar Grenzen ausgetestet. ich bin damit noch nicht am Ende angelangt, aber hier erste Ergebnisse:

Samsung B-Die DR



Micron B-Die SR


Um ehrlich zu sein hätte ich größere Unterschiede erwartet. Wenn ich etwas bestimmtes gegentesten soll, einfach Bescheid geben.

 

[Moeppel]

Habe 3 B-Die Kits hier, 2x 2x8GB 3200er CL 14und 1x 2x16GB 4000er CL19. Mein Ballistic Micron-B-Die DR (nehme ich zumindest an) liegt hier noch verpackt herum, bis mein neues Board ankommt (2x 32gb 3600CL16).

Gemessen an einem der 2x8 Kits sind die anderen beiden B-Dies Trashtier. RAM Calc Fast/Fastest preset stämmt das Kit problemlos, während die anderen bereits instabil werden Das 4000er Kit ist DR und momentan verbaut, allerdings entsprechend nicht in Vollbestückung.

Wenn man B-Die nicht auf CL14 betreibt, hat sich die Investition, sofern man ein Premium gezahlt hat, nicht gelohnt. Microns sind auch nicht umsonst P/L Sieger durch die Bank. CL14 bei DR B-Dies, zumindest bei meinen, sind ebenfalls utopisch. Allerdings weiß ich auch nicht was ein 4000 CL19 als Basis-Bin verkörpert.

Mein 4000er DR Kit:



Gerade auch unter Anbetracht einer 400mhz Taktsenkung gegenüber out of the box sind die Timings alles andere als toll und der Durchsatz bei Halbbestückung alles andere als glänzend In wie weit ASUS BIOS/Boardkrüppeleien hier noch reinspielen will ich nicht wissen. Ich warte auf Verfügbarkeit des MSI B550 Unify X.

Ich teste gleich mal den PC meiner Freundin (B450, 3600 und das gute, stramme SR B-Die Kit ) und füge das auch mal an.



Was mich aber ein wenig verwundert, ist dein Crucial Kit @ CL15. Ich dachte Zen kann nur 'gerade' CL Iterationen, also CL14/16/18/20 etc.

 

[Yoshi]

Ja, da bin ich mir auch noch nicht sicher, was ich davon halten soll... Das spuckt der Ryzen DRAM Calculator aber für Micron E-Die aus, der zum Micron B-Die ja recht ähnlich ist. GDM war per Hand auf Disabled gestellt, vll macht der AGESA-Code intern aber trotzdem sein eigenes Süppchen oder bei Zen3 hat sich da was geändert. Ich sehe schon, da muss man noch ein wenig rumprobieren...

 

[Moeppel]

Habe die Daten der ITX Kiste mit dem guten B-Die-Kit auch mal angehangen.

Über die massiven Unterschiede der Leistungsfähigkeit hinsichtlich der Timings muss man wohl nicht viel sagen.

Was mich persönlich verwundert sind allerdings die recht hohen Latenzen des ITX Boards (Vollbestückung, da nur 2 Slots) in Verbindung mit den Timings den Kits. Hätte bessere Werte als die des C6Hs erwartet

Das Kit könnte ich mit genug Voltage vermutlich auch 1:1 so auf 3600 kloppen, ohne nennenswerte Stabilitäteinbußen hinzunehmen.

 

[Yoshi]

CL14 startet bei mir gar nicht, egal ob Samsung oder Micron. Bin mir nicht sicher, ob das nicht eventuell ein Bug im BIOS-Code von Gigabyte ist. Alle Settings sind RELATIV gutmütig, sobald CL14 eingestellt ist, geht nix mehr.